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  • 型号: BSB056N10NN3 G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSB056N10NN3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSB056N10NN3 G价格参考。InfineonBSB056N10NN3 G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSB056N10NN3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSB056N10NN3 G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSB056N10NN3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30442e152e91012e390b9a631459

产品图片

产品型号

BSB056N10NN3 G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5500pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

74nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.6 毫欧 @ 30A,10V

供应商器件封装

MG-WDSON-2,CanPAK M™

其它名称

BSB056N10NN3 GCT

功率-最大值

78W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

3-WDSON

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9A (Ta), 83A (Tc)

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